DoublePatterning原理

2018年4月26日 — 接下來是另一類聰明一點的多重曝光，可以統稱為SADP(Self-Aligning Double Patterning)。 例如Side Wall Transfer就是核心的實現方式。主要是利用第一 ...

2008年12月25日 — 雙重曝光(Double Patterning；DP)是半導體為因應摩爾定律延伸所發展的新曝光技術。過去在193波長浸潤式顯影機種之下，已可將半導體製程技術推移至45奈 ...

2020年7月4日 — 最主要的两种方法就是双重曝光技术(double exposure，DE) 和自对准双重成像技术(self-aligned double patterning, SADP)。 ... 下面简单介绍一下SADP原理， ...

2018年5月29日 — 另一种是自对准双重成像技术（self-aligned double patterning）,SADP的原理是一次光刻后，再在第一次光刻图形周围通过淀积侧墙，通过刻蚀实现对空间图形 ...

2019年9月18日 — 为了解决这个问题，先进工艺开始采用 double pattern（DPT），也称为double mask，就是将原来的一层 mask 拆分成两层，在每一层mask 中都不出现最小 ...

2023年3月10日 — 曝光是指在晶片製作過程中，把電路圖印在晶片上，以利後續將晶片蝕刻成電路，只要曝光出錯，整批晶片就全部報銷，因此曝光機的進步可說是至關重要，圖 ...

2022年1月11日 — 半導體多重圖形曝光技術的原理Multiple patterning ... EUV極紫外光的波長13.5奈米，如何能做出10奈米以下的晶片? 這篇是文章解說： 次10奈米世代的半導體 ...

双重光刻技术主要的实现方式有两种：一种是曝光——刻蚀——曝光——刻蚀（Lithography-Etch- Lithography-Etch），LELE的基本原理就是把原来一层光刻图形拆分到两个或多个掩膜上 ...

多重圖形（Multiple patterning）是指一種在半導體製造過程中的技術。在光刻過程中使用了多重圖形曝光增強了製作圖形的密度。 儘管極紫外光刻將在下一代光刻中作為一個 ...